AUIRLR2905ZTRL

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

AUIRLR2905ZTRL
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
10
INFINEON
con
24+
-
晶体管

AUIRLR2905ZTRL
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
10
INFINEON
con
24+
-
晶体管

AUIRLR2905ZTRL
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区振兴路上步商务中心大厦205栋5A10
资质：营业执照
51006
Infineon Technologies
SMD
22+
-
优势代理，公司现货可开票

AUIRLR2905ZTRL
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
3000
INFINEON
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

AUIRLR2905ZTRL
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3682
IR
TO-252
2225+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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功能描述
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

AUIRLR2905ZTRL 技术参数

AUIRLR2905Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:42A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:35nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1570pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:75 AUIRLR2905TRL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:42A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:27 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:48nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1700pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:3,000 AUIRLR2905 功能描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:42A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:27 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:48nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1700pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:75 AUIRLR2703 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:450pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:75 AUIRLR120NTRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:185 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:440pF @ 25V 功率 - 最大值:48W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-PAK（TO-252AA）标准包装:3,000 AUIRLR3915 AUIRLS3034 AUIRLS3034-7P AUIRLS3034-7TRL AUIRLS3036 AUIRLS3036-7P AUIRLS3036-7TRL AUIRLS3036TRL AUIRLS3114Z AUIRLS4030 AUIRLS4030-7P AUIRLS4030-7TRL AUIRLS4030TRL AUIRLS8409-7P AUIRLS8409-7TRL AUIRLSL3036 AUIRLU024Z AUIRLU2905