AUIRLR024ZTRR

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AUIRLR024ZTRR
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
IR
DPAK
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制造商
International Rectifier
功能描述
AUTOMOTIVE MOSFET 55V 7A 58MOHM - Tape and Reel
制造商
International Rectifier
功能描述
MOSFET N CH 55V 16A DPAK
制造商
International Rectifier
功能描述
Automotive FET 55V 7A 58mOhm

AUIRLR024ZTRR 技术参数

AUIRLR024ZTRL 功能描述:MOSFET N CH 55V 16A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:最後搶購 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:9.9nC @ 5V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:380pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:35W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:58 毫欧 @ 9.6A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D-Pak 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 AUIRLR024Z 功能描述:MOSFET N CH 55V 16A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:58 毫欧 @ 9.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.9nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:380pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:75 AUIRLR024NTRL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 17A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:65 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:480pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:3,000 AUIRLR024N 功能描述:MOSFET N-CH 55V 17A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:65 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:480pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:75 AUIRLR014NTRL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 10A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:140 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7.9nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:265pF @ 25V 功率 - 最大值:28W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-PAK（TO-252AA）标准包装:3,000 AUIRLR3114Z AUIRLR3410 AUIRLR3410TR AUIRLR3410TRL AUIRLR3636 AUIRLR3705Z AUIRLR3915 AUIRLS3034 AUIRLS3034-7P AUIRLS3034-7TRL AUIRLS3036 AUIRLS3036-7P AUIRLS3036-7TRL AUIRLS3036TRL AUIRLS3114Z AUIRLS4030 AUIRLS4030-7P AUIRLS4030-7TRL