AUIRL7766M2TR

配单专家企业名单

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说明
操作

AUIRL7766M2TR
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
INFINEON
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

AUIRL7766M2TR
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
9800
Infineon Technologies
DIRECTFET? M4
19+
-
代理直销！进口原装正品！

AUIRL7766M2TR
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
INTERNATI
1521+
-
全新原装现货

AUIRL7766M2TR
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3916
IR
DIRECTFET
2227+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

AUIRL7766M2TR
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
5592
IR
DIRECTFET
2224+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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功能描述
MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

AUIRL7766M2TR 技术参数

AUIRL7736M2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 112A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:179A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 毫欧 @ 67A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:78nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5055pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DirectFET? 等距 M4 供应商器件封装:DIRECTFET? M4 标准包装:4,800 AUIRL7732S2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.6 毫欧 @ 35A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:33nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2020pF @ 25V 功率 - 最大值:2.2W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DirectFET? 等距 SC 供应商器件封装:DIRECTFET? SC 标准包装:4,800 AUIRL3705ZSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 52A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:60nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2880pF @ 25V 功率 - 最大值:130W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 AUIRL3705ZS 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 52A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:60nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2880pF @ 25V 功率 - 最大值:130W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRL3705Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 86A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 52A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:60nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2880pF @ 25V 功率 - 最大值:130W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 AUIRLR014NTRL AUIRLR024N AUIRLR024NTRL AUIRLR024Z AUIRLR024ZTRL AUIRLR120N AUIRLR120NTRL AUIRLR2703 AUIRLR2905 AUIRLR2905TRL AUIRLR2905Z AUIRLR2908 AUIRLR3105 AUIRLR3110Z AUIRLR3114Z AUIRLR3410 AUIRLR3410TR AUIRLR3410TRL