AUIRFU3607

配单专家企业名单

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数量
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说明
操作

AUIRFU3607
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
10
INFINEON
con
24+
-
晶体管

AUIRFU3607
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
10
INFINEON
con
24+
-
晶体管

AUIRFU3607
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
INFINEON
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

AUIRFU3607
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
IPAK/TO-251
25+
-
国产品牌，替代进口

AUIRFU3607
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
20000
IR
TO-251
13+
-
全新原装现货

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1

您是不是要找： AUIRFU4104 AUIRFU4292 AUIRFU540Z AUIRFU8401 AUIRFU8403 AUIRFU8405 AUIRFZ24NS AUIRFZ24NSTRL AUIRFZ24NSTRR

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制造商
International Rectifier
功能描述
"AUTOMOTIVE MOSFET 75V, 80A, 9 MOHM, 56 NC QG, IPAK - Rail/Tube
制造商
International Rectifier
功能描述
MOSFET N CH 75V 56A I-PAK
制造商
International Rectifier
功能描述
Automotive MOSFET 7 mOhm, 56 nC Qg, IPAK

AUIRFU3607 技术参数

AUIRFU1010Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 91A IPAK 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:- FET 功能:- 漏源极电压（Vdss）:- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:TO-262 标准包装:75 AUIRFSL8409 功能描述:MOSFET N-CH 40V 195A TO-262 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:195A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.2 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:450nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:14240pF @ 25V 功率 - 最大值:375W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-262-3短引线，I2Pak 供应商器件封装:TO-262 标准包装:50 AUIRFSL6535 功能描述:MOSFET NCH 300V 19A TO262 制造商:infineon technologies 系列:汽车级，AEC-Q101，HEXFET? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:300V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:185 毫欧 @ 11A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2340pF @ 25V 功率 - 最大值:210W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:TO-262-3 标准包装:50 AUIRFSL4310 功能描述:MOSFET N-CH 100V 75A TO262 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:最後搶購 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:250nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7670pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 75A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-262 封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 标准包装:1,000 AUIRFSL4115 功能描述:MOSFET N CH 150V 99A TO262 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:150V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:99A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12.1 毫欧 @ 62A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5270pF @ 50V 功率 - 最大值:375W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:TO-262 标准包装:50 AUIRFZ34N AUIRFZ44N AUIRFZ44NS AUIRFZ44VZS AUIRFZ44VZSTRL AUIRFZ44Z AUIRFZ44ZS AUIRFZ44ZSTRL AUIRFZ46NL AUIRFZ48N AUIRFZ48Z AUIRFZ48ZS AUIRG4BC30S-S AUIRG4BC30SSTRL AUIRG4BC30U-S AUIRG4BC30USTRL AUIRG4PC40S-E AUIRG4PH50S