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AUIRFS8405TRR

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制造商
International Rectifier
功能描述
AUTOMOTIVE G12.7 MOSFET 40VN - Tape and Reel

AUIRFS8405TRR 技术参数

AUIRFS8405 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:161nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5193pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:163W (Tc) 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRFS6535TRL 功能描述:MOSFET N CH 300V 19A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:300V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:185 毫欧 @ 11A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2340pF @ 25V 功率 - 最大值:210W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:800 AUIRFS6535 功能描述:MOSFET N CH 300V 19A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:300V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:57nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2340pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:210W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:185 毫欧 @ 11A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1,000 AUIRFS4610 功能描述:MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:73A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 44A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3550pF @ 50V 功率 - 最大值:190W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRFS4410Z 功能描述:MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:97A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9 毫欧 @ 58A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4820pF @ 50V 功率 - 最大值:230W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRFS8409-7TRL AUIRFS8409TRL AUIRFSA8409-7P AUIRFSA8409-7TRL AUIRFSL4115 AUIRFSL4310 AUIRFSL6535 AUIRFSL8403 AUIRFSL8405 AUIRFSL8407 AUIRFSL8409 AUIRFU1010Z AUIRFU3607 AUIRFU4104 AUIRFU4292 AUIRFU540Z AUIRFU8401 AUIRFU8403