您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > A字母型号搜索 >

AUIRFR4620TRR

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
AUIRFR4620TRR PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET AUTO 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
AUIRFR4620TRR 技术参数
  • AUIRFR4620TRL 功能描述:MOSFET N-CH 200V 24A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):24A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):78 毫欧 @ 15A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):38nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1710pF @ 50V 功率 - 最大值:144W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-PAK(TO-252AA) 标准包装:3,000 AUIRFR4620 功能描述:MOSFET N-CH 200V 24A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):24A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):78 毫欧 @ 15A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):38nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1710pF @ 50V 功率 - 最大值:144W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-PAK(TO-252AA) 标准包装:75 AUIRFR4615TRL 功能描述:MOSFET N-CH 150V 33A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):150V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):33A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):42 毫欧 @ 21A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):26nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1750pF @ 50V 功率 - 最大值:144W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-PAK(TO-252AA) 标准包装:3,000 AUIRFR4615 功能描述:MOSFET N-CH 150V 33A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):150V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):33A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):42 毫欧 @ 21A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):26nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1750pF @ 50V 功率 - 最大值:144W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-PAK(TO-252AA) 标准包装:75 AUIRFR4292TRL 功能描述:MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.3A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):345 毫欧 @ 5.6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):705pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:3,000 AUIRFR5505TRL AUIRFR6215 AUIRFR6215TRL AUIRFR8401 AUIRFR8401TRL AUIRFR8403 AUIRFR8403TRL AUIRFR8405 AUIRFR8405TRL AUIRFR9024N AUIRFR9024NTRL AUIRFS3004 AUIRFS3004-7P AUIRFS3004-7TRL AUIRFS3004TRL AUIRFS3006 AUIRFS3006-7P AUIRFS3107
配单专家

在采购AUIRFR4620TRR进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买AUIRFR4620TRR产品风险,建议您在购买AUIRFR4620TRR相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的AUIRFR4620TRR信息由会员自行提供,AUIRFR4620TRR内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号