ATP613-TL-H

配单专家企业名单

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封装
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价格
说明
操作

ATP613-TL-H
深圳市高创鑫电子科技有限公司
深圳市高创鑫电子科技有限公司
联系人：曾小姐
电话：0755-2330298015814019597
地址：深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西10楼C052房间
资质：营业执照
12500
onsemi
ATPAK
2023+
-
原装正品现货，假1罚100

ATP613-TL-H
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
ON SEMICO
1521+
-
全新原装现货

ATP613-TL-H
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
6755
ON Semiconductor
ATPAK（2 引线 + 接片）
201321
-
原装正品，现货库存。400-800-03...

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功能描述
MOSFET N-CH 500V 5.5A ATPAK
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列
-
标准包装
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FP
包装
管件

ATP613-TL-H 技术参数

ATP602-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.7 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:350pF @ 30V 功率 - 最大值:70W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:ATPAK（2 引线 + 接片）供应商器件封装:ATPAK 标准包装:1 ATP4PS-CKIT 功能描述:4 Position Rectangular Plug and Receptacle Connector Crimp 12-14 AWG 制造商:amphenol sine systems corp 系列:ATP 系列? 包装:散装零件状态:有效连接器类型:插头和插座触头类型:母插口；公插脚针脚数:4 间距:- 排数:2 排距:- 安装类型:自由悬挂紧固类型:销锁电缆端接:压接线缆类型:离散式线规:12-14 AWG 特性:楔形锁触头镀层:- 触头镀层厚度:- 颜色:灰标准包装:10 ATP405-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:33 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:68nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4000pF @ 20V 功率 - 最大值:70W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:ATPAK（2 引线 + 接片）供应商器件封装:ATPAK 标准包装:1 ATP404-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 95A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:95A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.2 毫欧 @ 48A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6400pF @ 20V 功率 - 最大值:70W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:ATPAK（2 引线 + 接片）供应商器件封装:ATPAK 标准包装:1 ATP404-H-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 95A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:- FET 功能:- 漏源极电压（Vdss）:- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:ATPAK（2 引线 + 接片）供应商器件封装:ATPAK 标准包装:3,000 ATPL100A-AZU-Y ATPL100AEK ATPL100DK-99 ATPL100SK-99 ATPL10SFLT-99 ATPL210A-A1U-Y ATPL210DK-99 ATPL210SK-99 ATPL21SFLT-99 ATPL21SFPR-99 ATPL220A-A1U-Y ATPL230A-AKU-R ATPL230A-AKU-Y ATPL230A-EK ATPL230AG55J19-R ATPL250A-AKU-R ATPL250A-AKU-Y ATPL250A-EK