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AS6C6264-55STIN

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AS6C6264-55STIN 技术参数

AS6C6264-55STCNTR 功能描述:静态随机存取存储器 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray AS6C6264-55STCN 功能描述:静态随机存取存储器 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray AS6C6264-55SINTR 功能描述:静态随机存取存储器 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray AS6C6264-55SIN 功能描述:静态随机存取存储器 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray AS6C6264-55SCNTR 功能描述:静态随机存取存储器 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray AS6C8008-55BINTR AS6C8008-55ZIN AS6C8008-55ZINTR AS6C8008A-45BIN AS6C8008A-45BINTR AS6C8008A-45ZIN AS6C8008A-45ZINTR AS6C8016-55BIN AS6C8016-55BINTR AS6C8016-55TIN AS6C8016-55TINTR AS6C8016-55ZIN AS6C8016-55ZINTR AS6C8016A-55BIN AS6C8016A-55BINTR AS6C8016A-55ZIN AS6C8016A-55ZINTR AS7000_DEMOKIT