AS4C16M16S-5TCN

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功能描述
动态随机存取存储器 256M S动态随机存取存储器 16M X 16 200MHz
RoHS
否
制造商
ISSI
数据总线宽度
16 bit
组织
1 M x 16
封装 / 箱体
SOJ-42
存储容量
16 MB
最大时钟频率
访问时间
50 ns
电源电压-最大
7 V
电源电压-最小
- 1 V
最大工作电流
90 mA
最大工作温度
+ 85 C
封装
Tube

AS4C16M16S-5TCN 技术参数

AS4C16M16MD1-6BCNTR 功能描述:IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 60FBGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 DDR SDRAM 存储容量:256M（16M x 16）速度:166MHz 接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TJ）封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-FPBGA（8x9）标准包装:1,000 AS4C16M16MD1-6BCN 功能描述:IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 60FBGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 DDR SDRAM 存储容量:256M（16M x 16）速度:166MHz 接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TJ）封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-FPBGA（8x9）标准包装:160 AS4C16M16D2-25BINTR 功能描述:IC SDRAM 256MBIT 400MHZ 84BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售存储器类型:易失存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 存储容量:256Mb （16M x 16）时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）安装类型:表面贴装封装/外壳:84-TFBGA 供应商器件封装:84-TFBGA （12.5x8）标准包装:2,500 AS4C16M16D2-25BIN 功能描述:IC SDRAM DDRII 16BIT 16M 84FBGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:DDR2 SDRAM 存储容量:256M（16M x 16）速度:400MHz 接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）封装/外壳:84-TFBGA 供应商器件封装:84-TFBGA（8x12.5）标准包装:209 AS4C16M16D2-25BCNTR 功能描述:IC SDRAM 256MBIT 400MHZ 84BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售存储器类型:易失存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 存储容量:256Mb （16M x 16）时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）安装类型:表面贴装封装/外壳:84-TFBGA 供应商器件封装:84-TFBGA （12.5x8）标准包装:2,500 AS4C16M16S-7BCNTR AS4C16M16S-7TCN AS4C16M16S-7TCNTR AS4C16M16SA-6BAN AS4C16M16SA-6BANTR AS4C16M16SA-6BIN AS4C16M16SA-6BINTR AS4C16M16SA-6TAN AS4C16M16SA-6TANTR AS4C16M16SA-6TCN AS4C16M16SA-6TCNTR AS4C16M16SA-6TIN AS4C16M16SA-6TINTR AS4C16M16SA-7BCN AS4C16M16SA-7BCNTR AS4C16M16SA-7TCN AS4C16M16SA-7TCNTR AS4C16M32MD1-5BCN