APTC80H29T3

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTC80H29T3G
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
SP3
23+
-
微芯专营优势产品

APTC80H29T3
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
E73X40-32L
25+
-
国产品牌，替代进口

APTC80H29T3G
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原装

APTC80H29T3G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

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1

您是不是要找： APTC80H29T3G APTC80SK15T1G APTC80TA15PG APTC80TDU15PG APTC90AM602G APTC90AM60SCTG APTC90AM60T1G APTC90DAM60CT1G APTC90DAM60T1G

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER MOSFET TRANSISTOR

APTC80H29T3 技术参数

APTC80H29T1G 功能描述:MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2254pF @ 25V 功率 - 最大值:156W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTC80H29SCTG 功能描述:MOSFET 4N-CH 800V 15A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:91nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2254pF @ 25V 功率 - 最大值:156W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTC80H15T3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 800V 28A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4507pF @ 25V 功率 - 最大值:277W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTC80H15T1G 功能描述:MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4507pF @ 25V 功率 - 最大值:277W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTC80DSK29T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2254pF @ 25V 功率 - 最大值:156W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTC90DDA12T1G APTC90DSK12T1G APTC90H12SCTG APTC90H12T1G APTC90H12T2G APTC90HM60T3G APTC90SKM60CT1G APTC90SKM60T1G APTC90TAM60TPG APTCFGP1VTR APTCFGP2VTR APTCFP1VTR APTCFP2VTR APTCLGTVTR APTCLGVTR APTCLVTR APTCV40H60CT1G APTCV50H60T3G