APTC60DAM18CTG全国供应商 APTC60DAM18CTG资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

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说明
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APTC60DAM18CTG
深圳市科思奇电子科技有限公司
深圳市科思奇电子科技有限公司
联系人：林小姐/欧阳先生
电话：0755-832450508278593918923762408微信同号
地址：深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室
资质：营业执照
6000
MICROSEMI
23+
-
只做原装正品

APTC60DAM18CTG
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
273526
MICROCHIP
con
24+
-

APTC60DAM18CTG
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
273526
MICROCHIP
con
24+
-

APTC60DAM18CTG
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
SP4
23+
-
微芯专营优势产品

APTC60DAM18CTG
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王
电话：18724450645
地址：中国上海
273526
MICROCHIP
con
24+
-
优势库存，原装正品

APTC60DAM18CTG
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
273526
MICROCHIP
con
24+
-
优势库存，原装正品

APTC60DAM18CTG
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
273526
MICROCHIP
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

APTC60DAM18CTG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
17+
-
瑞智芯只有原装

APTC60DAM18CTG
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
30
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

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1

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功能描述
MOSFET N-CH 600V 143A SP4
RoHS
是
类别
半导体模块 >> FET
系列
-
标准包装
10
系列
*

APTC60DAM18CTG 技术参数

APTC60BBM24T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:95A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:* 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTC60AM83BC1G 功能描述:MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:托盘零件状态:停產 FET 类型:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） FET 功能:超级结漏源电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:36A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:250nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTC60AM83B1G 功能描述:MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:托盘零件状态:停產 FET 类型:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） FET 功能:超级结漏源电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:36A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:250nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTC60AM70T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:39A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:259nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7000pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTC60AM45T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:49A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTC60DSKM35T3G APTC60DSKM45T1G APTC60DSKM70T1G APTC60DSKM70T3G APTC60HM24T3G APTC60HM35T3G APTC60HM45SCTG APTC60HM45T1G APTC60HM70BT3G APTC60HM70RT3G APTC60HM70SCTG APTC60HM70T1G APTC60HM70T3G APTC60HM83FT2G APTC60SKM24CT1G APTC60SKM24T1G APTC60SKM35T1G APTC60TAM21SCTPAG

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