APT10M13JNR

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说明
操作

APT10M13JNR
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
86530
APT
MODULE
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

APT10M13JNR
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
APT
MODULE
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

APT10M13JNR
深圳市科思奇电子科技有限公司
深圳市科思奇电子科技有限公司
联系人：林小姐/欧阳先生
电话：0755-832450508278593918923762408微信同号
地址：深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室
资质：营业执照
6000
APT
原厂原装
23+
-
只做原装正品

APT10M13JNR
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区中航路都会B座10012M
资质：营业执照
26550
APT
正品封装
23+
-
正规商现货供应

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1

您是不是要找： APT10SCD120B APT10SCD120BCT APT10SCD120K APT10SCD65K APT10SCD65KCT APT10SCE120B APT10SCE170B APT11F80B APT11F80S

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制造商
未知厂家
制造商全称
未知厂家
功能描述
TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 150A I(D)

APT10M13JNR 技术参数

APT10M11JVRU3 功能描述:MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:142A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 71A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8600pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT10M11JVRU2 功能描述:MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:142A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 71A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8600pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT10M11B2VFRG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:450nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10300pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 变式供应商器件封装:T-MAX? 标准包装:30 APT10M09B2VFRG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:350nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9875pF @ 25V 功率 - 最大值:625W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 变式供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:30 APT10DC120HJ 功能描述:DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:在售二极管类型:单相技术:碳化硅肖特基电压 - 峰值反向（最大值）:1.2kV 电流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.8V @ 10A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200μA @ 1200V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT11GF120BRDQ1G APT11GF120KRG APT11N80BC3G APT11N80KC3G APT1201R4BFLLG APT12031JFLL APT1204R7BFLLG APT1204R7KFLLG APT12057B2FLLG APT12057B2LLG APT12057JLL APT12057LFLLG APT12067B2FLLG APT12067B2LLG APT12067JFLL APT12067JLL APT1211 APT1211A