APT10M11B2VR,APT10M11JVFR

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APT10M11B2VR,APT10M11JVFR 技术参数

APT10M11B2VFRG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:450nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10300pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 变式供应商器件封装:T-MAX? 标准包装:30 APT10M09B2VFRG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:350nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9875pF @ 25V 功率 - 最大值:625W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 变式供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:30 APT10DC120HJ 功能描述:DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:在售二极管类型:单相技术:碳化硅肖特基电压 - 峰值反向（最大值）:1.2kV 电流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.8V @ 10A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200μA @ 1200V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT-106-T 功能描述:LAN XFRMR 10/100 1PORT EXT-TEMP 制造商:abracon llc 系列:* 零件状态:有效标准包装:700 APT106N60B2C6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:106A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:35 毫欧 @ 53A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3.4mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:308nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8390pF @ 25V 功率 - 最大值:833W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 变式供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APT11F80B APT11F80S APT11GF120BRDQ1G APT11GF120KRG APT11N80BC3G APT11N80KC3G APT1201R4BFLLG APT12031JFLL APT1204R7BFLLG APT1204R7KFLLG APT12057B2FLLG APT12057B2LLG APT12057JLL APT12057LFLLG APT12067B2FLLG APT12067B2LLG APT12067JFLL APT12067JLL