您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > A字母型号搜索 > A字母第2547页 >

APT10035B2FLLG

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • APT10035B2FLLG
    APT10035B2FLLG

    APT10035B2FLLG

  • 标准国际(香港)有限公司
    标准国际(香港)有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:83617149

    地址:新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 3

  • Microsemi Power Products

  • 2016+

  • -
  • 公司现货!只做原装!

  • APT10035B2FLLG
    APT10035B2FLLG

    APT10035B2FLLG

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28

    资质:营业执照

  • 6000

  • APT

  • T-MAX

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • APT10035B2FLLG
    APT10035B2FLLG

    APT10035B2FLLG

  • 深圳市思诺康科技有限公司
    深圳市思诺康科技有限公司

    联系人:张小姐/Vivianvi

    电话:0755-83286481

    地址:坂田街道东坡路3号万致天地商业中心(A塔)1栋一单元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • TO-247-3 Variant

  • 23+

  • -
  • 微芯专营优势产品

  • APT10035B2FLLG
    APT10035B2FLLG

    APT10035B2FLLG

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • APT

  • T-MAX

  • 最新批号

  • -
  • 代理此型号,原装正品现货!

  • APT10035B2FLLG
    APT10035B2FLLG

    APT10035B2FLLG

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • APT10035B2FLLG
    APT10035B2FLLG

    APT10035B2FLLG

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-88608801多线17727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • T-MAX?[B2]

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -
  • 原装正品。优势供应

  • APT10035B2FLLG
    APT10035B2FLLG

    APT10035B2FLLG

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-82999903

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -
  • 瑞智芯 只有原装

  • APT10035B2FLLG
    APT10035B2FLLG

    APT10035B2FLLG

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 15

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • 1/1页 40条/页 共19条 
  • 1
APT10035B2FLLG PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> FET - 单
  • 系列
  • POWER MOS 7®
  • 标准包装
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点
  • 逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
  • 200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装
  • TO-220FP
  • 包装
  • 管件
APT10035B2FLLG 技术参数
  • APT10021JLL 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1000V(1kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):37A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):210 毫欧 @ 18.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):395nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9750pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT10021JFLL 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1000V(1kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):37A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):210 毫欧 @ 18.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):395nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9750pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT1001RBN 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包装:管件 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):1000V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):130nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):310W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1 欧姆 @ 5.5A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247AD 封装/外壳:TO-247-3 标准包装:30 APT1001R6BFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1000V(1kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):55nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1320pF @ 25V 功率 - 最大值:266W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:30 APT1001R1BN 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包装:管件 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):1000V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10.5A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):130nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):310W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.1 欧姆 @ 5.25A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247AD 封装/外壳:TO-247-3 标准包装:30 APT10078SLLG APT10090BFLLG APT10090BLLG APT100DL60BG APT100DL60HJ APT100F50J APT100GF60JU2 APT100GF60JU3 APT100GLQ65JU2 APT100GLQ65JU3 APT100GN120B2G APT100GN120J APT100GN120JDQ4 APT100GN60B2G APT100GN60LDQ4G APT100GT120JR APT100GT120JRDQ4 APT100GT120JU2
配单专家

在采购APT10035B2FLLG进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买APT10035B2FLLG产品风险,建议您在购买APT10035B2FLLG相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的APT10035B2FLLG信息由会员自行提供,APT10035B2FLLG内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号