AOTF4N60L

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

AOTF4N60L
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-220F
25+
-
国产品牌，替代进口

AOTF4N60L
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
29995
AO/万代
TO-220F
08+
-
全新原装现货

1/1页 40条/页共8条
1

您是不是要找： AOTF4N90 AOTF4S60 AOTF4T60P AOTF5B60D AOTF5B65M1 AOTF5N100 AOTF5N50 AOTF5N50FD AOTF6N90

AOTF4N60L PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

AOTF4N60L PDF下载

功能描述
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO220F
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
18nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
615pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
35W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
2.2 欧姆 @ 2A，10V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220F
封装/外壳
TO-220-3 整包
标准包装
1,000

AOTF4N60L 技术参数

AOTF4N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.2 欧姆 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:615pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF474 功能描述:MOSFET N-CH 75V 9A TO220FL 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta），47A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11.3 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3370pF @ 30V 功率 - 最大值:1.9W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FL 标准包装:1,000 AOTF472 功能描述:MOSFET N-CH 75V 53A TO220FL 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Ta），53A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.9 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:115nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4500pF @ 30V 功率 - 最大值:1.9W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FL 标准包装:1,000 AOTF454L 功能描述:MOSFET N-CH 150V 3A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:150V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta），13A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:94 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:985pF @ 75V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF450L 功能描述:MOSFET N-CH 200V 5.8A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.8A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:700 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:235pF @ 25V 功率 - 最大值:27W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF7N60 AOTF7N60FD AOTF7N65 AOTF7N70 AOTF7S60L AOTF7S65 AOTF7T60 AOTF7T60L AOTF7T60P AOTF7T60PL AOTF8N50 AOTF8N60 AOTF8N65 AOTF8N80 AOTF8T50P AOTF8T50P_001 AOTF9N50 AOTF9N70