配单专家企业名单

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说明
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AOT-TAWS-XXBC
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
64000
AOT
603
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

AOT-TAWS-XXBC
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
4000
AOT
SMD
假一赔十！
-
绝对原装现货！！

AOT-TAWS-XXBC
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
AOT
原厂封装
最新批号
-
一级代理，原装正品现货！！

AOT-TAWS-XXBC
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售部：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石
资质：营业执照
1800000
AOT
603
23+
-
真实的资源竭诚服务您！

AOT-TAWS-XXBC
深圳市讯顺达科技有限公司
深圳市讯顺达科技有限公司
联系人：卓小姐/蔡小姐/庄小姐
电话：0755-827272340755-23915567
地址：深圳市福田区华强北路1019号华强广场A座15KL
资质：营业执照
4200
AOT
SMD
23+
-
全新原装欢迎询价下单

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AOT-TAWS-XXBC 技术参数

AOTS40B65H1 功能描述:IGBT 650V 40A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，40A 功率 - 最大值:300W 开关能量:1.27mJ（开），460μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 测试条件:400V、 40A、 7.5 欧姆、 15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOTF9N90 功能描述:MOSFET N-CH 900V 9A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.3 欧姆 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:58nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2560pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF9N70 功能描述:MOSFET N-CH 700V 9A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:700V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.2 欧姆 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1630pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF9N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 9A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:850 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1042pF @ 25V 功率 - 最大值:38.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF8T50P_001 功能描述:MOSFET N-CH 30V TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:最後搶購 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:19nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:905pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:38W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:810 毫欧 @ 4A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220F 封装/外壳:TO-220-3 整包标准包装:50 AOU7S60 AOU7S65 AOV11S60 AOV15S60 AOV20S60 AOW10N60 AOW10N65 AOW10T60 AOW10T60P AOW11N60 AOW11S60 AOW11S65 AOW12N50 AOW12N60 AOW12N65 AOW14N50 AOW15S60 AOW15S65