AON6760

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

AON6760
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
AOS
DFN5x6
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

AON6760
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
69800
AOS
近两年生产
DFN-8
-
每一片都来自原厂

AON6760
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
14990
ALPHA & O
1521+
-
全新原装现货

1/1页 40条/页共16条
1

您是不是要找： AON6764 AON6774 AON6780 AON6782 AON6786_001 AON6792 AON6794 AON6796 AON6810

AON6760 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

AON6760 PDF下载

功能描述
MOSFET N-CH 30V 36A 8DFN
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
AlphaMOS
包装
剪切带（CT）
零件状态
停产
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
28A（Ta），36A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
3.9 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
70nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
3440pF @ 15V
功率 - 最大值
5W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线
供应商器件封装
8-DFN（5x6）
标准包装
1

AON6760 技术参数

AON6758_104 功能描述:MOSFET N-CH 30V 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件状态:最後搶購 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:27A（Ta），32A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:40nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1975pF @ 15V FET 功能:肖特基二极管（体）功率耗散（最大值）:4.1W（Ta），41W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.6 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN（5x6）封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘标准包装:3,000 AON6758_103 功能描述:MOSFET N-CH 30V 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:27A（Ta），32A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:40nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1975pF @ 15V FET 功能:肖特基二极管（体）功率耗散（最大值）:4.1W（Ta），41W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.6 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN（5x6）封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘标准包装:3,000 AON6758_102 功能描述:MOSFET N-CH 30V 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件状态:最後搶購 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:27A（Ta），32A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:40nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1975pF @ 15V FET 功能:肖特基二极管（体）功率耗散（最大值）:4.1W（Ta），41W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.6 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN（5x6）封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘标准包装:3,000 AON6758_101 功能描述:MOSFET N-CH 30V 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:27A（Ta），32A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:40nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1975pF @ 15V FET 功能:肖特基二极管（体）功率耗散（最大值）:4.1W（Ta），41W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.6 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN（5x6）封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘标准包装:3,000 AON6758 功能描述:MOSFET N-CH 30V 32A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:27A（Ta），32A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1975pF @ 15V 功率 - 最大值:4.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:1 AON6812 AON6816 AON6850 AON6884 AON6884L AON6884L_002 AON6906A AON6908A AON6910A AON6912A AON6912ALS AON6914 AON6916 AON6918 AON6920_001 AON6922 AON6924 AON6926