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AOK60B60D1

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 批号
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  • AOK60B60D1
    AOK60B60D1

    AOK60B60D1

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28

    资质:营业执照

  • 6000

  • AOS/ 万代

  • TO-247

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • AOK60B60D1
    AOK60B60D1

    AOK60B60D1

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:刘小姐

    电话:15961889150

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • TO-247-3L

  • 25+

  • -
  • 国产品牌,替代进口

  • AOK60B60D1
    AOK60B60D1

    AOK60B60D1

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人:许先生

    电话:18898761413

    地址:华强北都会轩4507

    资质:营业执照

  • 30000

  • AOS/万代

  • TO247

  • 24+

  • -
  • 原装正品,可含税供应。品质保障

  • AOK60B60D1
    AOK60B60D1

    AOK60B60D1

  • 深圳市科宏特电子有限公司
    深圳市科宏特电子有限公司

    联系人:李瑞兵

    电话:18897698645

    地址:深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Alpha & Omega Semiconduct

  • 22+

  • -
  • 原装正品

  • 1/1页 40条/页 共17条 
  • 1
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  • 制造商
  • Alpha & Omega Semiconductor
  • 功能描述
  • IGBT 600V 120A 417W TO247
AOK60B60D1 技术参数
  • AOK5N100L 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO247 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1000V(1kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.2 欧姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):23nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1150pF @ 25V 功率 - 最大值:195W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 AOK5N100 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO247 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1000V(1kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.2 欧姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):23nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1150pF @ 25V 功率 - 最大值:195W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:240 AOK53S60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 53A TO247 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):53A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):70 毫欧 @ 26.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):59nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3034pF @ 100V 功率 - 最大值:520W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:240 AOK53S60 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):53A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):70 毫欧 @ 26.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):59nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3034pF @ 100V 功率 - 最大值:520W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:240 AOK50B65M2 功能描述:IGBT 650V 50A TO247 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):150A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.2V @ 15V,50A 功率 - 最大值:500W 开关能量:2.09mJ(开),1.03mJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:102nC 25°C 时 Td(开/关)值:46ns/182ns 测试条件:400V,50A,6 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):327ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 标准包装:240 AOKS40B60D1 AOKS40B65H1 AOL1202 AOL1206 AOL1208 AOL1240 AOL1242 AOL1404 AOL1412 AOL1413 AOL1414 AOL1418 AOL1422 AOL1424 AOL1426 AOL1428 AOL1428A AOL1432
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