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深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
118992
YXYBDT台湾
TO-247
2024+
-
代理台湾YXYBDT.现货

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深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
AOS原装
TO-247
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

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无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-247
25+
-
国产品牌，替代进口

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深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
875
AOS
TO-247
1311+PB
-
全新原装现货

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制造商
Alpha & Omega Semiconductor
功能描述
MOSFET N-CH 900V 10A TO247

AOK10N90 技术参数

AOK10B60D 功能描述:IGBT 600V 20A 163W TO247 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):40A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.8V @ 15V，10A 功率 - 最大值:163W 开关能量:260μJ（开），70μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/72ns 测试条件:400V，10A，30 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:105ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 标准包装:240 AOI9N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 9A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:860 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1160pF @ 25V 功率 - 最大值:178W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短截引线，IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:3,500 AOI8N25 功能描述:MOSFET N-CH 250V 8A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:560 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:306pF @ 25V 功率 - 最大值:78W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短截引线，IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:3,500 AOI7S65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:650 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:434pF @ 100V 功率 - 最大值:89W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短截引线，IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:3,500 AOI7N65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.56 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1180pF @ 25V 功率 - 最大值:178W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短截引线，IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:3,500 AOK20B65M2 AOK20N60L AOK20S60L AOK22N50L AOK2500L AOK27S60L AOK29S50L AOK30B120D2 AOK30B135W1 AOK30B60D AOK30B60D1 AOK30B65M2 AOK40B120M1 AOK40B60D AOK40B60D1 AOK40B65H1 AOK40B65H2AL AOK40B65M3