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AOI7S65

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  • AOI7S65
    AOI7S65

    AOI7S65

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • AOS

  • TO-251A

  • 最新批号

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  • 一级代理.原装特价现货!

  • AOI7S65
    AOI7S65

    AOI7S65

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:刘小姐

    电话:15961889150

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • IPAK/TO-251

  • 25+

  • -
  • 国产品牌,替代进口

  • AOI7S65
    AOI7S65

    AOI7S65

  • 深圳市深美诺电子科技有限公司
    深圳市深美诺电子科技有限公司

    联系人:李燕兵

    电话:82525918

    地址:深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室

    资质:营业执照

  • 6000

  • AOS

  • TO-251A

  • 22+

  • -
  • 全新原装现货供应

  • AOI7S65
    AOI7S65

    AOI7S65

  • 深圳市科宏特电子有限公司
    深圳市科宏特电子有限公司

    联系人:李瑞兵

    电话:18897698645

    地址:深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • AOS

  • 22+

  • -
  • 原装正品

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  • 制造商
  • Alpha & Omega Semiconductor
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 650V 7A TO251A
AOI7S65 技术参数
  • AOI7N65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.56 欧姆 @ 3.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1180pF @ 25V 功率 - 最大值:178W 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短截引线,IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:3,500 AOI7N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.3 欧姆 @ 3.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1170pF @ 25V 功率 - 最大值:178W 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短截引线,IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:3,500 AOI5N40 功能描述:MOSFET N-CH 400V 4.2A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):400V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):8.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):400pF @ 25V 功率 - 最大值:78W 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短截引线,IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:3,500 AOI538 功能描述:MOSFET N-CH 30V 34A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):34A(Ta),70A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):42nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2160pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):4.2W(Ta),24W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.1 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-251A 封装/外壳:TO-251-3 短截引线,IPak 标准包装:3,500 AOI530 功能描述:MOSFET N-CH 30V 70A TO-251 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):23A(Ta),70A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.7 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):62nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3130pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短截引线,IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:3,500 AOK20B135D1 AOK20B135E1 AOK20B60D1 AOK20B65M1 AOK20B65M2 AOK20N60L AOK20S60L AOK22N50L AOK2500L AOK27S60L AOK29S50L AOK30B120D2 AOK30B135W1 AOK30B60D AOK30B60D1 AOK30B65M2 AOK40B120M1 AOK40B60D
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