AOI5N40

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AOI5N40
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
IPAK/TO-251
25+
-
国产品牌，替代进口

AOI5N40
深圳市宝芯创电子有限公司
深圳市宝芯创电子有限公司
联系人：陈先生
电话：0755-83228629
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1002号赛格广场45层4503B★公司为一般纳税人，可开正规13%专
资质：营业执照
59990
AO/万代
TO-251A
17+
-
100%原装，诚信为本，等你咨询！

AOI5N40
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3213
AOS
TO-251
2233+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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制造商
Alpha & Omega Semiconductor
功能描述
Trans MOSFET N-CH 400V 4.2A T/R
制造商
Alpha & Omega Semiconductor
功能描述
MOSFET N-CH 400V 4.2A TO251A

AOI5N40 技术参数

AOI538 功能描述:MOSFET N-CH 30V 34A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:34A（Ta），70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:42nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2160pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:4.2W（Ta），24W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.1 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-251A 封装/外壳:TO-251-3 短截引线，IPak 标准包装:3,500 AOI530 功能描述:MOSFET N-CH 30V 70A TO-251 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:23A（Ta），70A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.7 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:62nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3130pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短截引线，IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:3,500 AOI518_001 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:- 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Ta），46A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:22.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:951pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标准包装:1 AOI518 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Ta），46A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:22.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:951pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短截引线，IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:70 AOI516_002 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Ta），46A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1229pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短截引线，IPak 供应商器件封装:TO-251B 标准包装:1 AOK20B120D1 AOK20B120E1 AOK20B120E2 AOK20B135D1 AOK20B135E1 AOK20B60D1 AOK20B65M1 AOK20B65M2 AOK20N60L AOK20S60L AOK22N50L AOK2500L AOK27S60L AOK29S50L AOK30B120D2 AOK30B135W1 AOK30B60D AOK30B60D1