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AOB482L

配单专家企业名单
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  • AOB482L
    AOB482L

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • ALPHA

  • TO-263

  • 最新批号

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  • 一级代理.原装特价现货!

  • AOB482L
    AOB482L

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  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28

    资质:营业执照

  • 6000

  • AOS美国万代

  • TO-263

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • AOB482L
    AOB482L

    AOB482L

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

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  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • AOB482L
    AOB482L

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  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:刘小姐

    电话:15961889150

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • D2PAK/TO-263

  • 25+

  • -
  • 国产品牌,替代进口

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  • 制造商
  • Alpha & Omega Semiconductor
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 80V 105A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
AOB482L 技术参数
  • AOB480L 功能描述:MOSFET N-CH 80V D2PAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Ta),180A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.2 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):140nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7820pF @ 40V 功率 - 最大值:1.9W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:1 AOB470L 功能描述:MOSFET N-CH 75V 10A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10.2 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):136nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5640pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:800 AOB462L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 7A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Ta),35A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):17.7 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):36nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2400pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:800 AOB442 功能描述:MOSFET N-CH 40V 21A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):21A(Ta),105A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.2 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):90nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5600pF @ 20V 功率 - 最大值:3.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:800 AOB440 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):88nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4560pF @ 30V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:1 AOC2411 AOC2412 AOC2413 AOC2414 AOC2415 AOC2417 AOC2421 AOC2422 AOC2423 AOC2800 AOC2802 AOC2802_001 AOC2804 AOC2804B AOC2806 AOC2870 AOC3860 AOC3862
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