配单专家企业名单

型号
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数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

AOB428
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
AOS/ 万代
TO-263
22+
-
十年配单，只做原装

AOB428
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
15862
AOS/万代
TO-263
23+
-
全新原装正品现货热卖

AOB428
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
AOS（美国万代）
TO-263
09+
-
假一罚十，百分百原装正品

AOB428
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
AOS
TO-263
22+
-
全新原装现货供应

AOB428
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
AOS
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

AOB428
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
AOSMD
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

AOB428
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
D2PAK/TO-263
25+
-
国产品牌，替代进口

AOB428
深圳市芯睿晨科技有限公司
深圳市芯睿晨科技有限公司
联系人：李小姐/肖先生
电话：0755-8257149682571956
地址：赛格广场69楼6900
资质：营业执照
9645
AO
TO263
21+
-
★假一赔十!绝对原装现货市场最低价！★

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制造商
AOSMD
制造商全称
Alpha & Omega Semiconductors
功能描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

AOB428 技术参数

AOB4184 功能描述:MOSFET N-CH 40V 12A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Ta），50A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1800pF @ 20V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263（D2Pak）标准包装:800 AOB418 功能描述:MOSFET N-CH 100V 105A D2PAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9.5A（Ta），105A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.7 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:83nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5200pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263（D2Pak）标准包装:1 AOB416 功能描述:MOSFET N-CH 100V 45A D2PAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.2A（Ta），45A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:36 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1450pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263（D2Pak）标准包装:1 AOB414_001 功能描述:MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.6A（Ta），51A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2200pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263（D2Pak）标准包装:1 AOB414 功能描述:MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.6A（Ta），51A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2200pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263（D2Pak）标准包装:1 AOB5B65M1 AOB7S60L AOB7S65L AOB9N70L AOB-IBRS232 AOC2401 AOC2403 AOC2411 AOC2412 AOC2413 AOC2414 AOC2415 AOC2417 AOC2421 AOC2422 AOC2423 AOC2800 AOC2802

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