AO5404E_001

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AO5404E_001
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
6000
ALPHA
SOT523
15+
-
原装正品，假一罚十

AO5404E_001
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
15000
ALPHA
SOT523
14pb
-
全新原装现货

AO5404E_001
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4056
AOS
SOT523
2228+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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功能描述
MOSFET N-CH SC89-3
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
500mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
1nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
45pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
280mW（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
550 毫欧 @ 500mA，4.5V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
SC-89-3
封装/外壳
SC-89，SOT-490
标准包装
3,000

AO5404E_001 技术参数

AO5404E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 0.5A SC89-3L 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:550 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:45pF @ 10V 功率 - 最大值:280mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:SC-89-3 标准包装:1 AO5401E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.5A SC89-3L 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:800 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:100pF @ 10V 功率 - 最大值:280mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:SC-89-3 标准包装:1 AO4952 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 11A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10.5毫欧 @ 11A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:605pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4946 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8.6A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16 毫欧 @ 8.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:31nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1885pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4932 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 11A/8A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A，8A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12.5 毫欧 @ 11A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1400pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO6402A AO6402L AO6403 AO6403L AO6404 AO6405 AO6408 AO6409 AO6409_102 AO6409_DELTA AO6409A AO6409A_102 AO6411 AO6414 AO6415 AO6420 AO6424 AO6424A