AO4854L_102

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功能描述
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
过期
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
19 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
888pF @ 15V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SO
标准包装
1

AO4854L_102 技术参数

AO4854 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:888pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:3,000 AO4852L 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 3A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:450pF @ 30V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 AO4852 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 3A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:450pF @ 30V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4850L 功能描述:MOSFET 2N-CH 75V 2.3A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.3A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:130 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:380pF @ 30V 功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 AO4850 功能描述:MOSFET 2N-CH 75V 2.3A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.3A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:130 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:380pF @ 30V 功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:3,000 AO4924 AO4924L AO4932 AO4946 AO4952 AO5401E AO5404E AO5404E_001 AO5404EL AO5600E AO5800E AO5803E AO5804E AO5804EL AO6085N03 AO6400 AO6401A AO6402A