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ALD210808APCL

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功能描述
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP
制造商
advanced linear devices inc.
系列
EPAD?，Zero Threshold?
包装
管件
零件状态
有效
FET 类型
4 N 沟道，配对
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）
10.6V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
80mA
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
20mV @ 10μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
-
功率 - 最大值
500mW
工作温度
0°C ~ 70°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
16-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装
16-PDIP
标准包装
50

ALD210808APCL 技术参数

ALD210804SCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:4 N 沟道，配对 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:50 ALD210804PCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:4 N 沟道，配对 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:16-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:16-PDIP 标准包装:50 ALD210802SCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:4 N 沟道，配对 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:50 ALD210802PCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:4 N 沟道，配对 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:16-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:16-PDIP 标准包装:50 ALD210800SCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:4 N 沟道，配对 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 欧姆不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:15pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:50 ALD212902PAL ALD212902SAL ALD212904PAL ALD212904SAL ALD212908APAL ALD212908ASAL ALD212908PAL ALD212908SAL ALD212914PAL ALD212914SAL ALD214012PJ111 ALD2301APAL ALD2301ASAL ALD2301BPAL ALD2301BSAL ALD2301CPAL ALD2301CSAL ALD2301PAL