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AFV461F/CH

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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  • 北京元坤伟业科技有限公司
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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
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  • 制造商
  • International Rectifier
  • 功能描述
  • HYBRID EMI FILTER, FLANGED, CLASS H - Bulk
AFV461F/CH 技术参数
  • AFV141KHSR5 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 1.4GHz 17.7dB 1000W NI-1230-4S 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS(双) 频率:1.4GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:50V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:1000W 电压 - 额定:105V 封装/外壳:NI-1230-4S 供应商器件封装:NI-1230-4S 标准包装:50 AFV141KHR5 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 1.4GHz 17.7dB 1000W NI-1230-4H 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS(双) 频率:1.4GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:50V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:1000W 电压 - 额定:105V 封装/外壳:SOT-979A 供应商器件封装:NI-1230-4H 标准包装:50 AFV141KGSR5 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 1.4GHz 17.7dB 1000W NI-1230-4S Gull Wing 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS(双) 频率:1.4GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:50V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:1000W 电压 - 额定:105V 封装/外壳:NI-1230-4S GW 供应商器件封装:NI-1230-4S 鸥翼型 标准包装:50 AFV121KHSR5 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 960MHz ~ 1.22GHz 19.6dB 1000W NI-1230-4S 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS(双) 频率:960MHz ~ 1.22GHz 增益:19.6dB 电压 - 测试:50V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:1000W 电压 - 额定:112V 封装/外壳:NI-1230-4S 供应商器件封装:NI-1230-4S 标准包装:50 AFV121KHR5 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 960MHz ~ 1.22GHz 19.6dB 1000W NI-1230-4H 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS(双) 频率:960MHz ~ 1.22GHz 增益:19.6dB 电压 - 测试:50V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:1000W 电压 - 额定:112V 封装/外壳:SOT-979A 供应商器件封装:NI-1230-4H 标准包装:50 AFW2035A AFW2040A AFW2050A AFW2060A AFW2065A AFZE-5003 AFZE-5004 AG001-01 AG001-01E AG003-01 AG003-01E AG01 AG01A AG01AV AG01AV0 AG01AV1 AG01AWK AG01AWS
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