55J1802BS

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MILITARY SPECIFICATIONS P
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55J1802BS 技术参数

55J10RE 功能描述:RES 10 OHM 5W 5% AXIAL 制造商:ohmite 系列:50 包装:散装零件状态:有效电阻（欧姆）:10 容差:±5% 功率（W）:5W 成分:绕线特性:- 温度系数:±50ppm/°C 工作温度:- 封装/外壳:轴向供应商器件封装:轴向大小/尺寸:0.315" 直径 x 0.827" 长（8.00mm x 21.00mm）高度:- 端子数:2 标准包装:25 55J10KE 功能描述:RES 10K OHM 5W 5% AXIAL 制造商:ohmite 系列:50 包装:散装零件状态:有效电阻（欧姆）:10k 容差:±5% 功率（W）:5W 成分:绕线特性:- 温度系数:±30ppm/°C 工作温度:- 封装/外壳:轴向供应商器件封装:轴向大小/尺寸:0.315" 直径 x 0.827" 长（8.00mm x 21.00mm）高度:- 端子数:2 标准包装:25 55J100E 功能描述:RES 100 OHM 5W 5% AXIAL 制造商:ohmite 系列:50 包装:散装零件状态:有效电阻（欧姆）:100 容差:±5% 功率（W）:5W 成分:绕线特性:- 温度系数:±30ppm/°C 工作温度:- 封装/外壳:轴向供应商器件封装:轴向大小/尺寸:0.315" 直径 x 0.827" 长（8.00mm x 21.00mm）高度:- 端子数:2 标准包装:25 55GN01MA-TL-E 功能描述:TRANS NPN BIPO 70MA 10V MCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:4.5GHz ~ 5.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.9dB @ 1GHz 增益:10dB @ 1GHz 功率 - 最大值:400mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:3-MCP 标准包装:3,000 55GN01FA-TL-H 功能描述:TRANS NPN BIPO 70MA 10V SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:4.5GHz ~ 5.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.9dB @ 1GHz 增益:11dB ~ 19dB @ 1GHz ~ 400MHz 功率 - 最大值:250mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-81 供应商器件封装:3-SSFP 标准包装:8,000 55J5R0E 55J750E 55J75RE 55J7R5E 55JR10E 55JR50E 55K9081-20-9 55K9082-20-2/6 55K9082-24-2/6 55K9083-20-2/6/4 55K9083-24-2/6/4 5-5L 55LF0114-26-0 55LF0114-26-0CS3363 55LF0114-26-1 55LF0114-26-1CS3365 55LF0114-26-2 55LF0114-26-2CS3364