配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2SK826
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
20000
NEC
TO-3P
2024+
-
绝对现货

2SK826
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
NEC
TO-3P
22+
-
十年配单，只做原装

2SK826
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
NEC
3P
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

2SK826
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
原装正品
09/10+
-
假一罚十，百分百原装正品

2SK826
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
10000
NEC
TO-3P
15+
-
原装正品，假一罚十

2SK826
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
4810
NEC
TO-3P
13+
-
原装正品现货库存

2SK826
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
1800
T
TO-3P
2015+
-
公司现货!只做原装!

1/1页 40条/页共20条
1

您是不是要找： 2SK879-GR(TE85L,F) 2SK879-Y(TE85L,F) 2SK880-BL(TE85L,F) 2SK880GRTE85LF 2SK880-Y(TE85L,F) 2SK932-22-TB-E 2SK932-23-TB-E 2SK932-24-TB-E 2SKF132AEL01

2SK826 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2SK826 技术参数

2SK772E-AC 功能描述:JFET N-CH 20MA 300MW 3SPA 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:2.5mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:20mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 标准包装:2,500 2SK771-5-TB-E 功能描述:JFET N-CH 20MA 200MW SCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:5mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:20mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 功率 - 最大值:200mW 标准包装:1 2SK715W-AC 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:生命周期结束 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:14.5mA @ 5V 漏极电流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:600mV @ 100μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10pF @ 5V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 标准包装:2,500 2SK715W 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:生命周期结束 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:14.5mA @ 5V 漏极电流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:600mV @ 100μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10pF @ 5V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 标准包装:500 2SK715V-AC 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:生命周期结束 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:10mA @ 5V 漏极电流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:600mV @ 100μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10pF @ 5V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 标准包装:2,500 2SLE100M 2SLE100M1.4X7.3 2SLG100M 2SLG100M1.4X7.3 2SLG150M 2SLG150M1.4X7.3 2SLG180M 2SLG180M1.4X7.3 2SLI 2SMES-01 2SMPB-01-01 2SMPB-02B 2SMPB-02E 2SMPP-02 2SMPP03 2SN-BK-G 2SP0115T2A0-06 2SP0115T2A0-12

发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

*型号	*数量	厂商	批号	封装

添加更多采购

我的联系方式

在采购2SK826进货过程中，您使用搜索有什么问题和建议？点此反馈

友情提醒：为规避购买2SK826产品风险，建议您在购买2SK826相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明：以上所展示的2SK826信息由会员自行提供，2SK826内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

2SK826

采购需求

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

我的联系方式