2SK4137

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2SK4137
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
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SANYO
ZP
2012+
-
只做原装正品

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您是不是要找： 2SK4150TZ-E 2SK4151TZ-E 2SK4171 2SK4177-DL-1E 2SK4177-DL-E 2SK4177-E 2SK4181-TL-E 2SK4196LS 2SK4196LS-1E

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制造商
SANYO
制造商全称
Sanyo Semicon Device
功能描述
N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

2SK4137 技术参数

2SK4126 功能描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:720 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3PB 标准包装:100 2SK4125-1E 功能描述:MOSFET N-CH 600V 17A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:610 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:46nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P-3L 标准包装:30 2SK4125 功能描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:610 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:46nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3PB 标准包装:100 2SK4124-1E 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:430 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:46.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P-3L 标准包装:30 2SK4124 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:430 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:46.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3PB 标准包装:100 2SK4197FS 2SK4197LS 2SK4198FS 2SK4198LS 2SK4209 2SK4210 2SK4221 2SK4222 2SK536-MTK-TB-E 2SK536-TB-E 2SK545-11D-TB-E 2SK596S-A 2SK596S-B 2SK596S-C 2SK669-AC 2SK715U 2SK715U-AC 2SK715V