2SK246BL

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说明
操作

2SK246BL/2SJ103BL
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
10000
TOSHIBA
TO-90
15+
-
原装正品，假一罚十

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您是不是要找： 2SK2503TL 2SK2504TL 2SK2507(F) 2SK2544(F) 2SK2593GQL 2SK2593JQL 2SK2624ALS 2SK2625ALS 2SK2632LS

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制造商
TOSHIBA
制造商全称
Toshiba Semiconductor
功能描述
N CHANNEL JUNCTION TYPE (FOR CONSTANT CURRENT, IMPEDANCE CONVERTER AND DC-AC HIGH INPUT IMPEDANCE AMPLIFIER CIRCUIT APPLICATIONS)

2SK246BL 技术参数

2SK2463T100 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A MPT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:Not Recommended For New Designs FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:380 毫欧 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:200pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1,000 2SK2420 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO-220F 制造商:sanken 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:28 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2200pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220F 标准包装:1,000 2SK2394-7-TB-E 功能描述:JFET N-CH 50MA 200MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:16mA @ 5V 漏极电流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:300mV @ 100μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10pF @ 5V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 功率 - 最大值:200mW 标准包装:3,000 2SK2394-6-TB-E 功能描述:JFET N-CH 50MA 200MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:10mA @ 5V 漏极电流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:300mV @ 100μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10pF @ 5V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 功率 - 最大值:200mW 标准包装:3,000 2SK23800QL 功能描述:JFET N-CH 1MA 125MW SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:50μA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:1.3V @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:SS迷你型3-F2 功率 - 最大值:125mW 标准包装:3,000 2SK2701A 2SK2713 2SK2715TL 2SK2719(F) 2SK2731T146 2SK2740 2SK2744(F) 2SK275100L 2SK2803 2SK2845(TE16L1,Q) 2SK2847(F) 2SK2848 2SK2854(TE12L,F) 2SK2866(F) 2SK2883(TE24L,Q) 2SK2887TL 2SK2916(F) 2SK2917(F)