配单专家企业名单

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2SK1821-01MR
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
FUJI原装
TO-220F
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

2SK1821-01MR
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
富士通
TO-220
22+
-
全新原装现货供应

2SK1821-01MR
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
15862
富士通
TO-220
23+
-
全新原装正品现货热卖

2SK1821-01MR
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
FUJU
TO
06+07
-
假一罚十，百分百原装正品

2SK1821-01MR
深圳市宝芯创电子有限公司
深圳市宝芯创电子有限公司
联系人：陈先生
电话：0755-83228629
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1002号赛格广场45层4503B★公司为一般纳税人，可开正规13%专
资质：营业执照
59990
FUJ/富士
TO-220F
17+
-
100%原装，诚信为本，等你咨询！

2SK1821-01MR
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
TO-220F
FUJI
17+
-
原装正品。优势供应

2SK1821-01MR
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9800
FUJ
TO220F
18+
-
优势库存，原装现货

2SK1821-01MR
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
725
FUJ
TO-220F
2012+
-
只做原装正品

2SK1821-01MR
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
9800
T
TO
2015+
-
公司现货!只做原装!

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您是不是要找： 2SK1828TE85LF 2SK1829TE85LF 2SK1835-E 2SK1859-E 2SK2009TE85LF 2SK2034TE85LF 2SK2035(T5L,F,T) 2SK208-GR(TE85L,F) 2SK208-O(TE85L,F)

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2SK1821-01MR 技术参数

2SK1775-E 功能描述:MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1730pF @ 10V 功率 - 最大值:60W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:1 2SK1518-E 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:270 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3050pF @ 10V 功率 - 最大值:120W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:1 2SK1374G0L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .05A SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 欧姆 @ 10mA，2.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4.5pF @ 5V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-85 供应商器件封装:S迷你型3-F2 标准包装:1 2SK137400L 功能描述:MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 欧姆 @ 10mA，2.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4.5pF @ 5V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:S迷你型3-G1 标准包装:1 2SK1342-E 功能描述:MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1730pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:1 2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-Y(TE85L,F) 2SK2094TL 2SK2095N 2SK209-BL(TE85L,F) 2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-Y(TE85L,F) 2SK2103T100 2SK2145-BL(TE85L,F 2SK2145-GR(TE85L,F 2SK2145-Y(TE85L,F) 2SK221100L 2SK2221-E 2SK2225-E 2SK2231(TE16L1,NQ) 2SK2231(TE16R1,NQ) 2SK2266(TE24R,Q) 2SK2299N