2SK06620RL

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功能描述
JFET N-CH 30V 20MA SMINI-3
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> JFET（结点场效应
系列
-
标准包装
8,000
系列
-
电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)
1.2mA @ 10V
漏极至源极电压(Vdss)
30V
漏极电流 (Id) - 最大
10mA
FET 型
N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
-
电压 - 切断 (VGS 关）@ Id
180mV @ 1µA
输入电容 (Ciss) @ Vds
4pF @ 10V
电阻 - RDS（开）
200 欧姆
安装类型
表面贴装
包装
带卷 (TR)
封装/外壳
3-XFDFN
供应商设备封装
3-ECSP1006
功率 - 最大
100mW

2SK06620RL 技术参数

2SK0615 功能描述:MOSFET N-CH 80V 500MA 3-SIP 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:45pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:M-A1 标准包装:1,000 2SK0601G0L 功能描述:MOSFET N-CH 80V 0.5A MINIP-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:45pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:迷你型P3-F2 标准包装:1 2SK060100L 功能描述:MOSFET N-CH 80V 500MA MINI-PWR 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:45pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:迷你型P3-F1 标准包装:1 2SK01980RL 功能描述:JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:500μA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:20mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:100mV @ 10μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:14pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:迷你型3-G1 功率 - 最大值:150mW 标准包装:1 2SJ687-ZK-E1-AY 功能描述:MOSFET P-CH 20V 20A TO-252 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 10A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:57nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4400pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252（MP-3ZK）标准包装:1 2SK122800L 2SK1317-E 2SK1339-E 2SK1340-E 2SK1341-E 2SK1342-E 2SK137400L 2SK1374G0L 2SK1518-E 2SK1775-E 2SK1828TE85LF 2SK1829TE85LF 2SK1835-E 2SK1859-E 2SK2009TE85LF 2SK2034TE85LF 2SK2035(T5L,F,T) 2SK208-GR(TE85L,F)