2SJ74-GR

配单专家企业名单

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说明
操作

2SJ74-GR
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9766
TOS
TO-92
-
绝对公司原装现货

2SJ74-GR
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9800
RENESAS
TO-92
18+
-
优势库存，原装现货

2SJ74-GR(2SK170-GR)
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3923
TOSHIBA
TO92
2206+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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2SJ74-GR 技术参数

2SJ687-ZK-E1-AY 功能描述:MOSFET P-CH 20V 20A TO-252 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 10A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:57nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4400pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252（MP-3ZK）标准包装:1 2SJ683-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 65A ZP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:65A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10.5 毫欧 @ 33A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:290nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:15500pF @ 20V 功率 - 最大值:50W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:ZP 标准包装:1 2SJ681(Q) 功能描述:MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:170 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:700pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短截引线，IPak 供应商器件封装:PW-MOLD2 标准包装:200 2SJ673-AZ 功能描述:MOSFET P-CH 60V 36A TO-220 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:36A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 18A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:87nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4600pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 隔离片供应商器件封装:TO-220 隔离的标片标准包装:500 2SJ668(TE16L1,NQ) 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:U-MOSIII 包装:带卷（TR）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:15nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:700pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:20W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:170 毫欧 @ 2.5A，10V 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装供应商器件封装:PW-MOLD 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:2,000 2SK066500L 2SK0665G0L 2SK1058-E 2SK11030QL 2SK1119(F) 2SK122800L 2SK1317-E 2SK1339-E 2SK1340-E 2SK1341-E 2SK1342-E 2SK137400L 2SK1374G0L 2SK1518-E 2SK1775-E 2SK1828TE85LF 2SK1829TE85LF 2SK1835-E