2SJ667

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2SJ667
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
SAY
TO-3P
22+
-
十年配单，只做原装

2SJ667
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
173
ON
2014+
-
公司现货库存,绝对原装正品!

2SJ667
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
SAY
TO-3P
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

2SJ667
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
TO-3PB
SANYO
17+
-
原装正品。优势供应

2SJ667
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
1000
T
TO-
2015+
-
公司现货!只做原装!

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1

您是不是要找： 2SJ668(TE16L1,NQ) 2SJ673-AZ 2SJ681(Q) 2SJ683-TL-E 2SJ687-ZK-E1-AY 2SK01980RL 2SK060100L 2SK0601G0L 2SK0615

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制造商
SANYO
制造商全称
Sanyo Semicon Device
功能描述
2SJ667

2SJ667 技术参数

2SJ665-DL-E 功能描述:MOSFET P-CH 100V 27A SMP-FD 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:27A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:77 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:74nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4200pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:SMP-FD 标准包装:1,000 2SJ661-DL-E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 38A SMP-FD 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:38A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:39 毫欧 @ 19A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4360pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:SMP-FD 标准包装:1,000 2SJ661-DL-1E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 38A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:38A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:39 毫欧 @ 19A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4360pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263-2 标准包装:800 2SJ661-1E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 38A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:38A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:39 毫欧 @ 19A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4360pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:TO-262-3 标准包装:50 2SJ656 功能描述:MOSFET P-CH 100V 18A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:75.5 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:74nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4200pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220ML 标准包装:100 2SK06620RL 2SK06630RL 2SK0663GRL 2SK066400L 2SK0664G0L 2SK066500L 2SK0665G0L 2SK1058-E 2SK11030QL 2SK1119(F) 2SK122800L 2SK1317-E 2SK1339-E 2SK1340-E 2SK1341-E 2SK1342-E 2SK137400L 2SK1374G0L