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2SD2696T2L

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

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  • 百分百正品现货 电话010-621049...

  • 2SD2696T2L
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • 原装ROHM

  • SOT-423

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  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-8308997518573537851

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

    资质:营业执照

  • 100

  • ROHM

  • VMT3

  • 23+

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  • 瑞智芯只做原装上传有货

  • 2SD2696T2L
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  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:13428937514

    地址:门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 640

  • ROHM

  • 2012

  • -
  • 公司现货!只做原装!

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  • 制造商
  • ROHM Semiconductor
  • 功能描述
2SD2696T2L 技术参数
  • 2SD2695,T6F(M 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):2000 @ 1A,2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 2SD2695,T6F(J 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):2000 @ 1A,2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 2SD2695(T6CNO,A,F) 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):2000 @ 1A,2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 2SD2695(T6CANO,F,M 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):2000 @ 1A,2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 2SD2695(T6CANO,A,F 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):2000 @ 1A,2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 2SD300C17A3 2SD300C17A4 2SD315AI 2SD315AI UL 2SD315AI-25 2SD315AI-33 2SD316EI-12 2SD316EI-17 2SD882 2SE156-3 2SE157-3 2SE321 2SE323 2SE6 2SE62 2SE89 2SEPC1000MX 2SEPC1000MX+S
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