配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2SD1243-R(TA)
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
8000
AD582TD/883B
TO-92S
21+
-
ALTERA.XILINX代理指定授权分...

2SD1243
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
118992
YXYBDT台湾
TO-3PN
2024+
-
代理台湾YXYBDT.现货

2SD1243
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-3P
25+
-
国产品牌，替代进口

2SD1243
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
10000
MAT
TO-3P
15+
-
原装正品，假一罚十

2SD1243
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
-
假一罚十，百分百原装正品

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制造商
SAVANTIC
制造商全称
Savantic, Inc.
功能描述
Silicon NPN Power Transistors

2SD1243 技术参数

2SD1221-Y(Q) 功能描述:TRANS NPN 60V 3A PW MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 300mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:PW-MOLD 标准包装:200 2SD12110S 功能描述:TRANS NPN 120V 0.5A TO-92L 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:185 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体供应商器件封装:TO-92L-A1 标准包装:200 2SD12110R 功能描述:TRANS NPN 120V 0.5A TO-92L 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:130 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体供应商器件封装:TO-92L-A1 标准包装:200 2SD1207U 功能描述:TRANS NPN 50V 2A MP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:280 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体供应商器件封装:3-MP 标准包装:500 2SD1207T-AE 功能描述:TRANS NPN 50V 2A 3MP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:3-MP 标准包装:1 2SD12700P 2SD12710P 2SD1271AP 2SD12720P 2SD12750P 2SD1275AP 2SD1276AP 2SD12770P 2SD1277AP 2SD12800RL 2SD12800SL 2SD12950RL 2SD13020RA 2SD132800L 2SD13280RL 2SD13280SL 2SD13280TL 2SD1383KT146B