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2SC3503-D(KSC3503-D-TSTU,S/L)

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2SC3503-D(KSC3503-D-TSTU,S/L) 技术参数
  • 2SC3503CSTU 功能描述:TRANS NPN 300V 0.1A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:7W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-126 标准包装:1,920 2SC3415STPP 功能描述:TRANS NPN 300V 0.1A 3PIN SPT 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:56 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-72 成形引线 供应商器件封装:SPT 标准包装:5,000 2SC3415STPN 功能描述:TRANS NPN 300V 0.1A 3PIN SPT 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:56 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-72 成形引线 供应商器件封装:SPT 标准包装:5,000 2SC3357-T1-RF-A 功能描述:SAME AS NE85634 NPN SILICON MEDI 制造商:cel 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:新产品 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:6.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:1.2W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1,000 2SC3357-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-89 制造商:cel 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:6.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:1.2W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1 2SC3583-T1B-A 2SC3585-A 2SC3585-T1B-A 2SC3601E 2SC3611 2SC3624-T1B-A 2SC3646S-P-TD-E 2SC3646S-TD-E 2SC3646T-P-TD-E 2SC3646T-TD-E 2SC3647S-TD-E 2SC3647T-TD-E 2SC3648S-TD-E 2SC3648T-TD-E 2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-H 2SC3649T-TD-E 2SC3649T-TD-H
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