2SB1386-Q

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2SB1386-Q(BH/QL)
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
8000
AD637JN
SOT89
21+
-
ALTERA.XILINX代理指定授权分...

2SB1386-Q(BH/QL)
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
6450000
KEXIN
SOT89
2024+
-
代理商库房现货

2SB1386-Q
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ROHM
原装正品
09/10+
-
假一罚十，百分百原装正品

2SB1386-Q
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
42500
GTM
SOT-89
2006
-
全新原装现货

1/1页 40条/页共21条
1

您是不是要找： 2SB1386T100Q 2SB1386T100R 2SB13980PA 2SB13980QA 2SB1412TLP 2SB1412TLQ 2SB1412TLR 2SB14140RA 2SB14160RA

2SB1386-Q PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2SB1386-Q 技术参数

2SB1383 功能描述:TRANS PNP DARL 120V 25A TO3P 制造商:sanken 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25A 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 24mA，12A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 12A，4V 功率 - 最大值:120W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 2SB1382 功能描述:TRANS PNP DARL 120V 16A TO3PF 制造商:sanken 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:16A 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 16mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 8A，4V 功率 - 最大值:75W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3 整包供应商器件封装:TO-3PF 标准包装:1,080 2SB1375,CLARIONF(M 功能描述:TRANS PNP 3A 60V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:9MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 2SB1351 功能描述:TRANS PNP DARL 60V 12A TO220F 制造商:sanken 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:12A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 20mA，10A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 10A，4V 功率 - 最大值:30W 频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220F 标准包装:50 2SB1326TV2R 功能描述:TRANS PNP 20V 5A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:ATV 标准包装:1 2SB1417APA 2SB1418APA 2SB1418AQA 2SB1420 2SB1424T100Q 2SB1424T100R 2SB1427T100E 2SB143400A 2SB14350RA 2SB14380RA 2SB14400RL 2SB1440GRL 2SB1443TV2Q 2SB14460RA 2SB14460SA 2SB1457(T6CANO,F,M 2SB1457(T6CNO,A,F) 2SB1457(T6DW,F,M)