2SA1980UG(CQ)

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2SA1980UG(CQ)
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
68000
AUK
SOT23
2024+
-
代理商库房现货

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2SA1980UG(CQ) 技术参数

2SA1978-T1B-A 功能描述:RF TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:cel 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:5.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 15mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 2SA1978-A 功能描述:RF TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:cel 系列:- 包装:剪带零件状态:有效晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:5.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 15mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:- 标准包装:1 2SA1977-T1B-A 功能描述:RF TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:cel 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 20mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 2SA1977-A 功能描述:TRANS RF PNP 12V 0.05A SOT-23 制造商:cel 系列:- 包装:剪带零件状态:有效晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 20mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:- 标准包装:1 2SA1972,T6WNLF(J 功能描述:TRANS PNP 500MA 400V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:140 @ 20mA，5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:35MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 2SA2029M3T5G 2SA2029T2LQ 2SA2029T2LR 2SA2030T2L 2SA2039-E 2SA2039-H 2SA2039-TL-E 2SA2039-TL-H 2SA2040-E 2SA2040-TL-E 2SA204600L 2SA2048KT146Q 2SA20570P 2SA20670PA 2SA20670QA 2SA2071T100Q 2SA2072TLQ 2SA207700L