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2SA1182-Y,LF

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
  • 批号
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  • 2SA1182-Y,LF
    2SA1182-Y,LF

    2SA1182-Y,LF

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百正品现货 电话010-621049...

  • 2SA1182-Y,LF
    2SA1182-Y,LF

    2SA1182-Y,LF

  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:13428937514

    地址:门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 1391

  • Toshiba Semiconductor and

  • 2016+

  • -
  • 公司现货!只做原装!

  • 1/1页 40条/页 共8条 
  • 1
2SA1182-Y,LF PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
  • 制造商
  • toshiba semiconductor and storage
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 剪切带(CT)
  • 零件状态
  • 停产
  • 晶体管类型
  • PNP
  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)
  • 500mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 30V
  • 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
  • 250mV @ 10mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)
  • 100nA(ICBO)
  • 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
  • 120 @ 100mA,1V
  • 功率 - 最大值
  • 150mW
  • 频率 - 跃迁
  • 200MHz
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装
  • S-Mini
  • 标准包装
  • 1
2SA1182-Y,LF 技术参数
  • 2SA1182-O(TE85L,F) 功能描述:TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:1 2SA1182-GR(TE85L,F 功能描述:TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:1 2SA1179N6-TB-E 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):150mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):135 @ 1mA,6V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:3,000 2SA1179N6-CPA-TB-E 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):150mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 1mA,6V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:* 标准包装:3,000 2SA1163-GR,LF 功能描述:TRANS PNP 120V 0.1A SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,6V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:1 2SA1295 2SA1298-Y,LF 2SA1303 2SA1309A0A 2SA1309AQA 2SA1309ARA 2SA1309ASA 2SA1312-BL(TE85L,F 2SA1312GRTE85LF 2SA1313-O(TE85L,F) 2SA1313-Y,LF 2SA1315-Y,HOF(M 2SA1315-Y,T6ASNF(J 2SA1381CSTU 2SA1381DSTU 2SA1381ESTU 2SA1381FSTU 2SA1382,T6MIBF(J
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