配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2N736
深圳市湘达电子有限公司
深圳市湘达电子有限公司
联系人：朱平
电话：0755-83229772-83202753
地址：办公地址帮我改成深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室
765
TH
原厂
21+
-
百分百进口原装现货，价格有优势。

2N7368
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
TO-254-3
23+
-
微芯专营优势产品

2N736A
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
MOT
CAN
08+
-
假一罚十，百分百原装正品

2N736A
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
8566
MOT
CAN
15+
-
绝对公司原装现货

2N736A
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
10000
MOT
CAN
15+
-
原装正品，假一罚十

2N736B
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
20000
MOT
CAN3
14+
-
全新原装，进口现货，准时交货，量大优惠

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1

您是不是要找： 2N7635-GA 2N7636-GA 2N7637-GA 2N7638-GA 2N7639-GA 2N7640-GA 2N915 2N918 2N918UB

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制造商
未知厂家
制造商全称
未知厂家
功能描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-18

2N736 技术参数

2N7335 功能描述:MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:4 个 P 通道 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:750mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:14-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:MO-036AB 标准包装:1 2N7334 功能描述:MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:14-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:MO-036AB 标准包装:1 2N7236U 功能描述:MOSFET P-CH 100V SMD1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:200 毫欧 @ 11A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-267AB 供应商器件封装:TO-267AB 标准包装:1 2N7236 功能描述:MOSFET P-CH 100V TO-254AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:200 毫欧 @ 11A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-254-3，TO-254AA（直引线）供应商器件封装:TO-254AA 标准包装:1 2N7228U 功能描述:MOSFET N-CH 500V SMD1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:415 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-267AB 供应商器件封装:TO-267AB 标准包装:1 2N930 2N930A 2N930UB 2N9C 2NBS16-TJ1-330 2NCLPT-.25E 2NCLPT-.5E 2NCLPT-1E 2NCLPT-2E 2NCLPT-5E 2NFP0C 2NFP9C 2NT1-70 2NT1-8 2OT0.6-83-F9 2OT1.4-10-F9 2OT1.4-24-F9 2P01-0100-DA