20ETF06PBF

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

20ETF06PBF
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
638850
IR
TO-220-2
最新批次
-
OEM渠道，价格超越代理！

20ETF06PBF
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
4470
IR
TO-220
12+/13+
-
原装现货/特价

1/1页 40条/页共13条
1

您是不是要找： 20ETF06S 20ETF06STRL 20ETF06STRR 20ETF08 20ETF08S 20ETF08STRL 20ETF08STRR 20ETF10 20ETF10FP

20ETF06PBF PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

20ETF06PBF PDF下载

功能描述
DIODE FAST REC 600V 20A TO220AC
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器
系列
-
标准包装
100
系列
-
二极管类型
标准
电压 - (Vr)（最大）
50V
电流 - 平均整流 (Io)
6A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）
1.4V @ 6A
速度
快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间(trr)
300ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电
15µA @ 50V
电容@ Vr, F
-
安装类型
底座，接线柱安装
封装/外壳
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商设备封装
DO-203AA
包装
散装
其它名称
*1N3879

20ETF06PBF 技术参数

20ETF06FP 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FP 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:160ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 整包供应商器件封装:TO-220AC 整包工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1,000 20ETF06 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 20A TO220AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:160ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1,000 20ETF04STRL 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 20A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:160ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:800 20ETF04S 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 20A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:160ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1,000 20ETF04FP 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:160ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220AB 整包工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1,000 20ETF10S 20ETF10STRL 20ETF10STRR 20ETF12 20ETF12FP 20ETF12S 20ETS08 20ETS08FP 20ETS08S 20ETS08STRL 20ETS08STRR 20ETS12 20ETS12FP 20ETS12S 20ETS12STRL 20ETS12STRR 20-F40-10 20FLZ-RSM1-TB