1N4448HWS-13-F全国供应商【买卖IC网】1N4448HWS-13-F资料|PDF Datasheet|价格 Diodes Incorporated

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1N4448HWS-13-F
深圳市湘达电子有限公司
深圳市湘达电子有限公司
联系人：朱平
电话：0755-83229772-83202753
地址：办公地址帮我改成深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室
756486
DIODESZET
原厂
21+
-
百分百进口原装现货，价格有优势。

1N4448HWS-13-F
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
Diodes
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

1N4448HWS-13-F
深圳市百润电子有限公司
深圳市百润电子有限公司
联系人：梁
电话：17876146278
地址：沙头街道下沙社区滨河路9289号下沙村京基滨河时代广场D1栋26A
6200
Diode Inc
SOD-323
23+
-
全新原装正品*海量现货库存*全网最低

1N4448HWS-13-F
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售部经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石
资质：营业执照
256
Diodes Inc.
标准封装
23+
-
真实的资源竭诚服务您！

1N4448HWS-13-F
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
500000
DIODES IN
1521+
-
全新原装现货

1N4448HWS-13-F
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4690
DIODES/美台
SOD323
2205+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

1/1页 40条/页共14条
1

您是不是要找： 1N4448HWS-7 1N4448HWS-7-F 1N4448HWT-7 1N4448-T 1N4448TAP 1N4448-TP 1N4448TR 1N4448TR_S00Z 1N4448W RHG

1N4448HWS-13-F PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

1N4448HWS-13-F PDF下载

功能描述
二极管 - 通用，功率，开关 80 Vrrm 57Vr 250 mA FAST SWITCH DIODE
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
产品
Switching Diodes
峰值反向电压
600 V
正向连续电流
200 A
最大浪涌电流
800 A
配置
恢复时间
2000 ns
正向电压下降
1.25 V
最大反向漏泄电流
300 uA
最大功率耗散
工作温度范围
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ISOTOP
封装
Tube

1N4448HWS-13-F 技术参数

1N4448HLP-7 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:125mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-UFDFN 供应商器件封装:2-DFN1006（1.0x0.6）工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4448-A 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:生命周期结束二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:500mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:10,000 1N4448_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:10,000 1N4448_T50A 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:5,000 1N4448_T26A 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:5,000 1N4448W-7 1N4448W-7-F 1N4448W-E3-08 1N4448W-E3-18 1N4448W-G3-08 1N4448W-G3-18 1N4448W-HE3-08 1N4448W-HE3-18 1N4448WQ-7-F 1N4448WS 1N4448WS RRG 1N4448WS-7 1N4448WS-7-F 1N4448WS-E3-08 1N4448WS-E3-18 1N4448WSF-7 1N4448WSFQ-7 1N4448WS-G3-08