1N4446.TR

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1N4446.TR
深圳市煌盛达科技有限公司
深圳市煌盛达科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13823538694
地址：平湖华南城华利嘉
资质：营业执照
12000
FAIRCHILD
原厂原封装
20+
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原装库存，全新进口，可电13689551...

1N4446.TR
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
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原厂封装
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一级代理，原装正品现货！！

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1N4446.TR 技术参数

1N4446 TR 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 20mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 20V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:10,000 1N4446 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 20mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 20V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4444-1 功能描述:DIODE SWITCHING 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:有效标准包装:1 1N4437_FT 功能描述:BRIDGE RECT 400V 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件状态:在售标准包装:15 1N4436 功能描述:SINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N4448,143 1N4448_S00Z 1N4448_T26A 1N4448_T50A 1N4448_T50R 1N4448-A 1N4448HLP-7 1N4448HWS-13-F 1N4448HWS-7 1N4448HWS-7-F 1N4448HWT-7 1N4448-T 1N4448TAP 1N4448-TP 1N4448TR 1N4448TR_S00Z 1N4448W RHG 1N4448W-7