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STP35NF10

配单专家企业名单
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  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
STP35NF10 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-Ch 100 Volt 40 Amp
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
STP35NF10 技术参数
  • STP35N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 27A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):27A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):98 毫欧 @ 13.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):83nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3750pF @ 100V 功率 - 最大值:160W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP35N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 28A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):28A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):110 毫欧 @ 14A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):54nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2400pF @ 100V 功率 - 最大值:210W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP34NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 29A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):29A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):110 毫欧 @ 14.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):80.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2785pF @ 50V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP34NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 29A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):29A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):105 毫欧 @ 14.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2722pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 STP34N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 28A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):28A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):110 毫欧 @ 14A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):62.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2700pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP3LN80K5 STP3N150 STP3N62K3 STP3N80K5 STP3NB100 STP3NK100Z STP3NK50Z STP3NK60Z STP3NK60ZFP STP3NK80Z STP3NK90Z STP3NK90ZFP STP400N4F6 STP40N20 STP40N60M2 STP40N65M2 STP40NF03L STP40NF10
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