供应IGBT无感吸收电容保护电容

品牌：
ALCON
型号：
KP-6
类别：
其他
结构：
固定
封装外形：
圆柱形
特性：
高频
引出线类型：
轴向引出线
标称容量：
0.047

发布询价信息

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产品信息

KP-6 轴向系列薄膜无感电容
特点：
?低电感
?高dv/dt
?低ESR
?低损耗聚丙烯介质
?灌注封装，无电晕

应用：
?高电压和高电流的应用场合
?缓冲电路
?能源转换和控制电路
?滤波器

Rated Capacitance MFD	Dimensions in mm			dV/dT V/μsec	I Peak Amps	Irms Max @100KHz 55oC Amps	ESR Max @100KHz mW
Rated Capacitance MFD	D	L	d	dV/dT V/μsec	I Peak Amps	Irms Max @100KHz 55oC Amps	ESR Max @100KHz mW
工作电压 850 VDC (450VAC)
0.1	17	35	0.8	1100	110	6	12
0.15	17	35	0.8	1100	165	6	11.5
0.22	19	42	0.8	1000	220	7	10.2
0.33	19	42	1	1000	330	7	9
0.47	19	55	1	900	423	8	8.6
0.68	19	55	1	900	612	8	8.3
1	25	55	1.2	900	900	10	7.6
1.2	25	55	1.2	900	1080	11	7.2
1.5	25	55	1.2	900	1350	12	6.8
2	30	55	1.2	900	1800	12	5.6
工作电压 1200 VDC (500VAC)
0.047	15	23	0.8	1400	65	5	18
0.068	15	23	0.8	1400	95	6	13
0.1	17	35	1	1300	130	8	11
0.15	17	35	1	1300	195	8.2	8.2
0.22	19	42	1	1200	264	8.2	7.8
0.33	19	42	1	1200	396	9.1	7.3
0.47	19	55	1	1000	470	11	6.8
0.68	19	55	1.2	1000	680	12	5.3
1	25	55	1.2	1000	1000	12	5
1.2	30	55	1.2	1000	1200	12	4.8
1.5	30	55	1.2	1000	1500	12	4.2
工作电压 2000 VDC (630VAC)
0.01	12	23	0.8	1700	17	3	42
0.015	15	23	0.8	1700	26	4	40.3
0.022	15	23	0.8	1700	37	6	36.5
0.033	17	35	0.8	1700	56	7	24.2
0.047	17	35	0.8	1700	80	8	15.3
0.068	17	35	1	1700	116	9	14.2
0.1	19	42	1	1000	100	9	8.6
0.15	19	42	1	1000	150	10	7.2
0.22	25	55	1	900	198	11	6.5
0.33	30	55	1.2	900	297	11	4.6
工作电压 2500 VDC (700VAC)
0.033	17	35	0.8	1500	49.5	4	20
0.047	17	35	0.8	1500	70.5	6	13
0.068	17	35	1	1500	102	8.2	11
0.1	19	42	1	1200	120	8.2	8.9
0.15	19	42	1.2	1200	180	8.2	7.7
0.22	19	55	1.2	1000	220	9.1	6.9
0.33	25	55	1.2	1000	330	10.8	5.8
0.47	25	55	1.2	1000	470	12	4.2
工作电压3000 VDC (750VAC)
0.01	12	23	0.8	2800	28	2	62
0.015	12	23	0.8	2800	42	3	41
0.022	15	23	0.8	2800	62	4	28
0.033	17	35	1	1500	50	5	19.8
0.047	19	55	1	1000	47	6.5	18
0.068	19	55	1	1000	68	8	12.5
0.1	19	55	1.2	1000	100	8	8.9
0.15	19	55	1.2	1000	150	11	6.7
0.22	25	55	1.2	1000	220	12	4.8
0.33	30	55	1.2	1000	330	12	4.2

ALCON无感电容,感应加热用谐振电容，吸收电容,螺旋安装铝电解电容
ALCON公司：无感电容，无感吸收电容，IGBT突波吸收保护电容，IGBT无感薄膜电容器，谐振电容，螺旋安装铝电解电容。

KP-6轴向系列电容量: 0.047 - 3.0μF，额定电压: 850 - 3000 Vdc 引线轴向
KPF-9轴向系列电容量: 0.047 - 3.0μF，额定电压: 850- 3000 Vdc 引线轴向
KPF方形系列电容量: 0.033 - 3.0μF，额定电压: 1000 - 2000 Vdc 铁片引出
PG-6螺旋安装铝电解系列电容量: 330 - 250000μF，额定电压: 40 - 500 Vdc 螺栓安装
FP - 4 -150传导冷却（感应加热用）谐振电容器系列电容量: 0.1 - 2.5μF，额定电压: 400 V- 700Vdc 铜板引出

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http://www.power-sem.com   MSN：daifangzeng@hotmail.com
Tel：13501245185
Fax：+86-010-62195633   联系人：戴方增
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地址：北京市海淀区中关村南大街34号，中关村科技发展大夏C座1902室。

公司介绍

北京普尔盛电子技术有限公司始创于2001年，是集贸易及研发制造于一体的专业电力电子器件供应商。2003年成立驱动事业部专注于IGBT驱动芯片的开发设计，于技术创新中求发展，并在短短的几年时间内迅速成长为国内IGBT驱动器的领先品牌。普尔盛电子主要由贸易代理及IGBT驱动二个部门组成：普尔盛电子贸易部主要代理德国POWERSEM(宝德芯)、ALCON(艾肯电子)、SanRex(三社电机)等国际品牌的电力半导体器件，包括：可控硅模块、二极管模块、整流桥模块、IGBT驱动器及电解电容、无感吸收电容、高频大功率谐振电容等。把国外的优质产品推荐给国内用户，同时也把国内的优秀产品介绍给国外用户。普尔盛驱动技术有限公司(前普尔盛电子驱动事业部)专注于高性能IGBT驱动器及晶闸管驱动器的研发与生产，生产基地设在离市区大约25公里的昌平中关村科技园区。在吸收国外先进技术的基础上，结合近十年推广电力电子器件所积累的应用经验和当今电力电子器件的最新控制技术，自主研发成功IGBT专用驱动芯片(ASIC)PDI 021、PDI 022及晶闸管专用驱动芯片PDT 011，结束了国内没有高性能IGBT驱动专用芯片的局面。 PSHI-IGBT Drivers分PCB即插即用型及ACEE经济紧凑型二大类10多个品种，可为用户提供输出峰值电流达±30A，电压等级6500V的智能型IGBT驱动产品。形成了覆盖高、中、低端市场的丰富的产品线，已广泛应用于电气传动、伺服控制、逆变焊机、UPS、通讯电源、感应加热、风力发电及太阳能发电等应用领域。并与海外多家渠道商建立了合作联盟；上千家用户建立了长期合作关系，并远销亚、非、欧美等国家地区。普尔盛电子(香港)有限公司负责普尔盛电子的海外业务。