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NAND02G

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  • NAND02GAH0IZC5E
    NAND02GAH0IZC5E

    NAND02GAH0IZC5E

  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部

    联系人：朱小姐

    电话：13428937514

    地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813

    资质：营业执照

  • 8753

  • Numonyx

  • 153-LFBGA

  • 14+

  • -

  • 进口原装!现货供应,可开增值税发票.

  • NAND02GR3B2DZA6F
    NAND02GR3B2DZA6F

    NAND02GR3B2DZA6F

  • 深圳市华雄半导体（集团）有限公司
    深圳市华雄半导体（集团）有限公司

    联系人：雷精云

    电话：18988598856

    地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质：营业执照

  • 3529

  • NUMONYX

  • BGA63

  • 2216+

  • -

  • 十年专营，供应原装正品！热卖现货！

  • NAND02GW3B2DN6E
    NAND02GW3B2DN6E

    NAND02GW3B2DN6E

  • 深圳市轩盛达电子有限公司
    深圳市轩盛达电子有限公司

    联系人：陈

    电话：1588932848313924772445

    地址：深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103

  • 10000

  • -

  • 原厂原装现货，代找紧缺料

  • NAND02GR3B2DZA6E
    NAND02GR3B2DZA6E

    NAND02GR3B2DZA6E

  • 深圳市安博威科技有限公司
    深圳市安博威科技有限公司

    联系人：吴

    电话：18320850923

    地址：深圳市福田区华强北路赛格广场1713室

  • 11

  • MICRON/美光

  • BGA63

  • 2011+

  • -

  • 市场最低价欢迎垂询

  • NAND02GW3B2CZA6
    NAND02GW3B2CZA6

    NAND02GW3B2CZA6

  • 北京力通科信电子有限公司
    北京力通科信电子有限公司

    联系人：韩小姐

    电话：13661385246

    地址：北京市海淀区知春路118号知春大厦B座1504室，新中发电子市场B1303-b1305柜台

  • 24

  • ST

  • BGA

  • 07+

  • -

  • 原装现货13661385246

  • NAND02GR3B2DN6E
    NAND02GR3B2DN6E

    NAND02GR3B2DN6E

  • 深圳市科宏特电子有限公司
    深圳市科宏特电子有限公司

    联系人：李瑞兵

    电话：18897698645

    地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Micron

  • 22+

  • -

  • 原装正品

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NAND02G 技术参数
  • NAND01GW4B2AN6E 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel NAND01GW3B2CZA6E 功能描述:IC FLASH 1GBIT 63VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 NAND01GW3B2CN6E 功能描述:IC FLASH 1GBIT 48TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ NAND01GW3B2BZA6E 功能描述:闪存 1 Gbit 2Gbit 2112b 1/8 V/3 V NFM RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel NAND01GW3B2AZA6E 功能描述:闪存 NAND MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel NAND04GW3C2BN6E NAND08GAH0BZA5E NAND08GAH0FZC5E NAND08GAH0JZC5E NAND08GW3C2BN6E NAND08GW3D2AN6E NAND08GW3F2AN6E NAND128W3A0AN6 NAND128W3A0AN6E NAND128W3A0AN6F NAND128W3A0BN6E NAND128W3A0BN6F NAND128W3A0BN6F TR NAND128W3A2BN6E NAND128W3A2BN6F NAND128W3A2BN6F TR NAND128W3A2BNXE NAND128W3AABN6E
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