MRF150

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功能描述
射频MOSFET电源晶体管 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB
RoHS
否
制造商
Freescale Semiconductor
配置
Single
晶体管极性
频率
1800 MHz to 2000 MHz
增益
27 dB
输出功率
100 W
汲极/源极击穿电压
漏极连续电流
闸/源击穿电压
最大工作温度
封装 / 箱体
NI-780-4
封装
Tray

MRF150 技术参数

MRF148A 功能描述:FET RF 120V 175MHZ 211-07 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:N 通道频率:30MHz ~ 175MHz 增益:15dB ~ 18dB 电压 - 测试:50V 额定电流:6A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:30W 电压 - 额定:120V 封装/外壳:211-07 供应商器件封装:211-07，2 型标准包装:30 MRF141G 功能描述:FET RF 2CH 65V 175MHZ 375-04 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:2 N 沟道（双）共源频率:175MHz 增益:14dB 电压 - 测试:28V 额定电流:32A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA 功率 - 输出:300W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:375-04 供应商器件封装:375-04，2 型标准包装:10 MRF140 功能描述:FET RF 65V 150MHZ 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:N 通道频率:30MHz ~ 150MHz 增益:6dB ~ 15dB 电压 - 测试:28V 额定电流:16A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA 功率 - 输出:150W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:211-11，2 型供应商器件封装:211-11，2 型标准包装:10 MRF13750HR5 功能描述:RF POWER LDMOS TRANSISTOR 750 W 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件状态:在售晶体管类型:LDMOS（双）频率:700MHz ~ 1.3GHz 增益:20.6dB 电压 - 测试:50V 额定电流:10μA 噪声系数:- 功率 - 输出:650W 电压 - 额定:105V 封装/外壳:SOT-979A 供应商器件封装:NI-1230H-4S 标准包装:1 MRF13750H-915MHZ 功能描述:MRF13750H-915MHZ 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件状态:在售晶体管类型:LDMOS（双）频率:700MHz ~ 1.3GHz 增益:20.6dB 电压 - 测试:50V 额定电流:10μA 噪声系数:- 功率 - 输出:650W 电压 - 额定:105V 封装/外壳:SOT-979A 供应商器件封装:NI-1230H-4S 标准包装:1 MRF154 MRF1550FNT1 MRF1550NT1 MRF157 MRF1570FNT1 MRF1570NT1 MRF158 MRF160 MRF16006 MRF166C MRF166W MRF171A MRF173 MRF173CQ MRF174 MRF175GU MRF175GV MRF175LU