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1SMB75AT3G

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功能描述
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 75V 600W Unidirectional
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
极性
Bidirectional
工作电压
击穿电压
58.9 V
钳位电压
77.4 V
峰值浪涌电流
38.8 A
系列
封装 / 箱体
DO-214AB
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C

1SMB75AT3G 技术参数

1SMB75AT3 功能描述:TVS DIODE 75VWM 121VC SMB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:75V 电压 - 击穿（最小值）:83.3V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:121V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:4.9A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:245pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB 标准包装:2,500 1SMB70AT3G 功能描述:TVS DIODE 70VWM 113VC SMB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:70V 电压 - 击穿（最小值）:77.8V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:113V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5.3A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:260pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB 标准包装:1 1SMB70AT3 功能描述:TVS DIODE 70VWM 113VC SMB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:70V 电压 - 击穿（最小值）:77.8V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:113V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5.3A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:260pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB 标准包装:10 1SMB70A TR13 功能描述:TVS DIODE 70VWM 113VC SMB 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:70V 电压 - 击穿（最小值）:77.8V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:113V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5.3A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB 标准包装:1 1SMB7.5CA TR13 功能描述:TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC SMB 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:7.5V 电压 - 击穿（最小值）:8.33V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:12.9V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:46.5A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB 标准包装:1 1SMB8.5AT3 1SMB8.5AT3G 1SMB8.5CA TR13 1SMB85A TR13 1SMB85AT3 1SMB85AT3G 1SMB85CA TR13 1SMB9.0A TR13 1SMB9.0AT3 1SMB9.0AT3G 1SMB9.0CA TR13 1SMB90A TR13 1SMB90AT3 1SMB90AT3G 1SMB90CA TR13 1SMC100A TR13 1SMC100CA TR13 1SMC10A TR13